预测具有宇称异常的拓扑 $p+ip$ 激子绝缘体
强关联电子
2019-01-15 v4
摘要
激子绝缘体是通过电子和空穴对凝聚成 BCS 态而形成的绝缘态。对于激子凝聚，通常考虑各向同性空间波函数，因为半导体中电子和空穴之间的吸引相互作用通常导致 波激子。在这里，我们提出了一种新型激子绝缘体，它表现出具有 对称性的序参量，并以手征 Chern 数 为特征。该状态表现出宇称异常，这导致了两种新颖的拓扑性质：在缺陷处具有 电荷的分数化激发和自发面内磁化。拓扑绝缘体表面态是实现拓扑激子绝缘体的理想平台。借助自旋动量锁定，带间光泵浦可以重整化表面电子，并驱动系统趋向于所提出的 不稳定性。
引用
@article{arxiv.1705.06421,
title = {Prediction of at topological $p+ip$ excitonic insulator with parity anomaly},
author = {Rui Wang and Onur Erten and Baigeng Wang and D. Y. Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.06421},
year = {2019}
}
备注
Published version