半导体量子阱中的手性拓扑激子绝缘体
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们提出了一种在半导体异质结构中实现手性拓扑激子绝缘体的方案，该异质结构可通过与两个铁磁绝缘薄膜相邻的耦合量子阱在实验上制备。由铁磁薄膜磁化方向改变引起的不同平均场手性拓扑序，可以通过体相系统的 TKNN 数以及边缘系统中无能隙态的绕数来表征。此外，我们提出了一种实验方案，通过测量热导来检测手性无能隙边缘态的出现，并区分不同的手性拓扑序。
引用
@article{arxiv.1009.2569,
title = {Chiral topological excitonic insulator in semiconductor quantum wells},
author = {Ningning Hao and Ping Zhang and Jian Li and Zhigang Wang and Wei Zhang and Yupeng Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2569},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 figures