拓扑绝缘体薄膜中的无能隙手征激子
强关联电子
2016-04-08 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在强拓扑绝缘体 (TI) 的纳米尺度薄膜中，交换同一板内不同平面上两个具有相同手性的电子的通道中的库仑相互作用，利用这种“交换”所产生的负号，在一个表面的正能态与相对表面的负能态之间形成束缚态。因此，在 TI 薄膜未掺杂的 Dirac 锥中，粒子-空穴对形成位于自由粒子-空穴对连续谱下方的面间自旋单态。该模式类似于半导体的激子，尽管它是由来自两个不同二维表面的电子与空穴对形成的。在低动量下，表征该集体模式的色散关系是线性的。通过实验比较两种不同厚度的板，可以捕捉到该效应对板厚度的指数依赖关系。
引用
@article{arxiv.1401.4411,
title = {Gapless chiral excitons in thin films of topological insulators},
author = {S. A. Jafari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.4411},
year = {2016}
}
备注
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