有限尺寸效应诱导拓扑晶体绝缘体中的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2014-09-29 v2
摘要
我们研究了拓扑晶体绝缘体 (TCI) Pb_{x}Sn_{1-x}Te (001) 薄膜的电子态和拓扑不变量。由于有限尺寸效应，即顶部和底部表面态之间的杂化，块体 TCI 上无间隙的表面狄拉克锥在薄膜中变得有间隙。我们阐明了与 Bi2Se3 等三维拓扑绝缘体相比，TCI 薄膜具有更强的有限尺寸效应。此外，能隙随薄膜厚度振荡。这种振荡源于二维拓扑相变。所获得的拓扑不变量和能隙数据可作为 TCI 器件应用的指导。
引用
@article{arxiv.1403.3791,
title = {Finite-size-effect-induced topological phase transition in a topological crystalline insulator},
author = {Hideyuki Ozawa and Ai Yamakage and Masatoshi Sato and Yukio Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3791},
year = {2014}
}
备注
18 pages, 18 figures