拓扑绝缘体薄膜中的电子-空穴配对

我们考虑位于“强”三维拓扑绝缘体薄膜相对表面上的无质量狄拉克电子和空穴的配对。预测这种配对会产生具有不寻常性质的拓扑激子凝聚。我们在考虑库仑相互作用自洽屏蔽、无序以及由隧穿引起的电子和空穴态杂化的情况下，估算了可实现的配对临界温度。当温度降低时，能隙增加到杂化值以上可以作为该配对的可观测特征。我们讨论了观察电子-空穴配对所需的系统参数。