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磁场中拓扑绝缘体上相互作用的狄拉克费米子

介观与纳米尺度物理 2015-05-30 v1

摘要

我们研究了外磁场中拓扑绝缘体薄膜表面的分数量子霍尔态,该体系中载流子的狄拉克费米子特性直到最近才被实验证实。我们的研究表明,分数量子霍尔态确实应在拓扑绝缘体的表面朗道能级中可观测到。然而,由于拓扑绝缘体薄膜的有限厚度以及薄膜两个表面朗道能级的混合,其效应强度将与石墨烯中的情况有所不同。在薄膜厚度较小时,这种混合导致激发隙对薄膜厚度有强烈的非单调依赖关系。当薄膜厚度足够大时,最低两个朗道能级中的激发隙强度相当。

关键词

引用

@article{arxiv.1108.4085,
  title  = {Interacting Dirac Fermions on a Topological Insulator in a Magnetic Field},
  author = {Vadim M. Apalkov and Tapash Chakraborty},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4085},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 3 figures