拓扑绝缘体薄膜上的朗道能级态
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v3
摘要
我们分析了为描述均匀垂直磁场下单狄拉克锥族拓扑绝缘体能带结构而提出的四维哈密顿量。表面朗道能级(LL)态出现，与体态能级解耦，并遵循纯二维表面狄拉克哈密顿量的量子化能量色散。一个小的杂化能隙分裂了中心n=0 LL的简并度，其与薄膜厚度和磁场强度的依赖关系可通过解析得到。自旋和电荷密度的显式计算表明，表面LL态局域在距表面终止层约一个五原子层内。一些新的表面束缚LL态被证明存在于更高的朗道能级指数处。
引用
@article{arxiv.1007.0291,
title = {Landau level states on a topological insulator thin film},
author = {Zhihua Yang and Jung Hoon Han},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.0291},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 4 figures