拓扑绝缘体中分数量子霍尔效应的稳定性
介观与纳米尺度物理
2013-05-21 v1
摘要
随着近期在拓扑绝缘体表面观测到类石墨烯朗道能级，作为强关联基本特征的分数量子霍尔效应的可能性已引起关注。一些实验报道了朗道能级内的结构，暗示可能存在分数量子霍尔效应。本文从理论角度讨论了分数量子霍尔效应的可行性，并论证：尽管理想情况下该效应应出现在 n=0 和 |n|=1 朗道能级中，但在更高的 |n| 朗道能级中则被排除。与石墨烯不同，由于自旋-轨道耦合，拓扑绝缘体中的分数量子霍尔效应预计将在 n=1 和 n=-1 朗道能级之间展现出一种有趣的反对称性。
引用
@article{arxiv.1106.4418,
title = {The stability of the fractional quantum Hall effect in topological insulators},
author = {Ashley M. DaSilva},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4418},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 2 figures