拓扑绝缘体中的分数量子霍尔效应：塞曼效应的作用
强关联电子
2012-10-19 v1
摘要
我们研究了塞曼效应在拓扑绝缘体（TIs）表面分数量子霍尔效应（FQHE）中的作用。我们表明，由于塞曼效应，库仑相互作用的有效赝势发生了重构，这与石墨烯中的情况截然不同。通过在球几何构型下精确对角化多体哈密顿量，我们发现 =1/3 FQHE 在 = 朗道能级（LLs）之间的基态能量和激发隙呈现出不对称性，且 =1 LL 处的 FQHE 态比 =-1 LL 处的更稳健，因为 =1 LL 处的激发隙大于 =-1 LL 处的激发隙。
引用
@article{arxiv.1210.5137,
title = {Fractional quantum Hall effect in topological insulators: The role of Zeeman effect},
author = {Zhigang Wang and Fawei Zheng and Zhen-Guo Fu and Ping Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5137},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 5 figures