有隙拓扑绝缘体表面态中的粒子-空穴不对称性
介观与纳米尺度物理
2015-06-08 v1
摘要
我们考虑能隙和塞曼相互作用对存在于拓扑绝缘体表面的螺旋狄拉克费米子的联合效应。我们考察磁光性质、磁化强度、霍尔效应和态密度，重点强调当哈密顿量的主导狄拉克部分之外还包含次要的薛定谔项时出现的粒子-空穴不对称性。在适当情况下，我们将我们的结果与单谷有隙石墨烯系统进行比较，后者的塞曼分裂行为不同。我们推导了由能隙和薛定谔项的联合效应引起的磁振荡中的相位偏移，而无需半经典昂萨格量子化条件。我们的结果与基于半经典论证的先前讨论一致。
引用
@article{arxiv.1505.06660,
title = {Particle-Hole Asymmetry in Gapped Topological Insulator Surface States},
author = {Calvin J. Tabert and J. P. Carbotte},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.06660},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 12 figures