关联 Chern 绝缘体中的拓扑序
强关联电子
2013-12-16 v3
摘要
我们研究了自旋 Chern 绝缘体中电子 - 电子相互作用的影响。在半填充情况下，对于弱的在位排斥相互作用，系统是一个弱关联 Chern 绝缘体，绝热连接至非相互作用基态；而在无限强排斥极限下，系统由一个最近被预测具有手性自旋液体基态的有效自旋模型描述。在大但有限的排斥机制下，我们发现了一种奇特的能隙相，其特征兼具非相互作用 Chern 绝缘体和手性自旋液体的特点。该相具有整数量子化的霍尔电导 和电荷为电子电荷 整数倍的准粒子，但环面上的基态是四重简并的，且准粒子具有分数统计。我们讨论了这些不寻常的性质如何影响电荷泵浦实验的结果，并通过推导拓扑场论阐明了该拓扑序属于奇特的 双半子 (double-semion) 类型。
引用
@article{arxiv.1305.1290,
title = {Topological order in a correlated Chern insulator},
author = {Joseph Maciejko and Andreas Rüegg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1290},
year = {2013}
}
备注
Published version. Main text: 5+ pages, 2 figures; supplementary material: 5 pages, 1 figure