腔嵌入kagome系统中的陈绝缘体和拓扑平带

我们研究了与圆偏振腔模耦合的kagome系统的拓扑能带结构，使用了基于muffin-tin势和量子光-物质相互作用的模型。我们表明，由于光-物质相互作用打破了时间反演对称性，陈绝缘体相在腔嵌入kagome系统中涌现。我们还发现，近简并带可以具有非零陈数的拓扑非平庸性。通过改变光-物质相互作用，我们还揭示了在超强耦合区域不同陈绝缘体相之间发生拓扑相变。这些相变改变了陈数的符号，切换了边缘电流的方向。通过构建低能有效紧束缚模型，我们证明了腔嵌入kagome陈绝缘体中拓扑边缘模式的存在。