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耗散陈绝缘子拓扑遗传导致的边选择性极端阻尼

介观与纳米尺度物理 2024-01-01 v3 其他凝聚态物理

摘要

拓扑物质最重要的实际特征之一,是在具有不等拓扑不变量的区域界面处存在拓扑保护、指数局域化的边缘态。本文表明,即使被驱动到远离其平衡基态时,陈绝缘子也能从其母哈密顿量继承拓扑边缘特征。具体而言,我们证明由 Lindblad 主方程控制的非平衡稳态的渐近长时间演化,可展现边选择性极端阻尼。该现象源于母陈绝缘子哈密顿量的非厄米扩展的边缘态。因此,(非厄米)拓扑与耗散的结合使得设计拓扑鲁棒、空间局域化的阻尼模式成为可能。

关键词

引用

@article{arxiv.2304.09040,
  title  = {Edge-selective extremal damping from topological heritage of dissipative Chern insulators},
  author = {Suraj S. Hegde and Toni Ehmcke and Tobias Meng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2304.09040},
  year   = {2024}
}

备注

4pages, 6 figures + Supplemental material. Published in Phys. Rev. Lett