从薄膜晶体管中同时提取电荷密度依赖的迁移率和可变接触电阻
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
摘要
通过对线性区和饱和区工作状态下电流 - 电压特性的完整推导，提出了一种提取薄膜晶体管中电荷密度依赖的迁移率和可变接触电阻的模型。将计算值与直接实验方法获得的值进行了验证。该方法允许通过对单个器件的电流 - 电压特性分析，无需对这两个参数进行任何先验假设，即可明确确定接触电阻和沟道电阻。它解决了普遍接受的迁移率提取方法中的不一致性问题，并为分析半导体材料中的注入和输运过程提供了新的可能性。
引用
@article{arxiv.1402.5241,
title = {Simultaneous Extraction of Charge Density Dependent Mobility and Variable Contact Resistance from Thin Film Transistors},
author = {Riccardo Di Pietro and Deepak Venkateshvaran and Andreas Klug and Emil J. W. List-Kratochvil and Antonio Facchetti and Henning Sirringhaus and Dieter Neher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5241},
year = {2015}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters