Y 函数法在不同技术二维 FET 参数提取中的精度
应用物理
2020-09-21 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
本文评估了考虑本征迁移率退化影响的 Y 函数所提取的二维场效应晶体管接触电阻值的精度。通过对每种提取所用输运模型近似的详细分析，指出了考虑与忽略该因子的方法论之间的差异。与通常忽略本征迁移率退化的做法相反，基于 Y 函数且考虑更完整输运模型的方法给出的接触电阻值与通过其他复杂方法获得的参考值相近。后者的值也更适于描述不同技术的二维器件的实验数据。二维晶体管的本征迁移率退化因子被首次实验表征，且其器件性能影响被描述与评估。
引用
@article{arxiv.2006.03035,
title = {Accuracy of Y-function methods for parameters extraction of two-dimensional FETs across different technologies},
author = {Anibal Pacheco-Sanchez and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.03035},
year = {2020}
}