Yb 与少层 WS$_2$ 之间的电接触特性
材料科学
2023-06-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
从接触电极到二维（2D）硫族化合物的电荷注入机制是开发基于 2D 沟道的电子学的基本课题，但仍未被很好理解。本文采用低功函数金属镱（Yb）作为二硫化钨（WS）的接触以理解实际注入机制。协同表征了 WS 中随温度变化（T）和沟道厚度（tch）变化的接触特性。发现 Yb/WS 界面在能级间表现出强钉扎效应，且接触电阻（R_\rm{C}）低至 m。低温电学测量揭示 R_\rm{C} 在 77 K 之前对 T 呈弱正依赖，且与 tch 呈弱负相关。与提取出的不可忽略的 R_\rm{C} 值相反，估算出意外低的有效热注入势垒为 36 meV，表明在亚阈值区存在显著隧穿注入，且纯热电子发射模型不适用于估算注入势垒高度。
引用
@article{arxiv.2306.15689,
title = {Electrical contact properties between Yb and few-layer WS$_2$},
author = {Shihao Ju and Lipeng Qiu and Jian Zhou and Binxi Liang and Wenfeng Wang and Taotao Li and Jian Chen and Xinran Wang and Yi Shi and Songlin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.15689},
year = {2023}
}