基于 Gm/ID 的 MOSFET 阈值电压在全漏电压范围内的提取
应用物理
2021-06-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
提出一种覆盖从线性区到饱和区整个漏源电压范围的 MOSFET 阈值电压提取方法。跨导-电流比由低到高漏电压下测得的 MOSFET 转移特性获得。基于电荷建模方法，对于理想的長沟道 MOSFET，在整个漏电压范围内得到近乎恒定的阈值电压值。该方法揭示了 halo 注入 MOSFET 在低漏电压范围内阈值电压随漏电压明显升高。该方法受益于中反型工作区，其中垂直场迁移率降低与串联电阻等高场效应最小。本方法适用于全漏电压范围，完全解析，易于实现，且与现有方法相比提供更一致的结果。
引用
@article{arxiv.2106.00747,
title = {On MOSFET Threshold Voltage Extraction Over the Full Range of Drain Voltage Based on Gm/ID},
author = {Nikolaos Makris and Matthias Bucher},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.00747},
year = {2021}
}
备注
4 pages,2 figures, submitted