纳米级 MOSFET 中阈值电压随栅极几何结构的变化
应用物理
2019-11-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
金属氧化物半导体（MOS）技术的巨大进步在过去几十年中一直是器件缩放的直接结果。但当我们进入纳米时代，许多与泄漏电流相关的问题以及其他影响良率的可变性问题令人担忧。在此，我们研究了 MOS 器件的鳍式架构（Fin Architecture）与栅极长度的变化如何影响阈值电压。
引用
@article{arxiv.1911.03557,
title = {Threshold Voltage variation with respect to Gate geometry in Nano-scale MOSFETS},
author = {Raja N Mir},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.03557},
year = {2019}
}