随机界面电荷陷阱导致的硅量子门变异性与保真度极限
量子物理
2020-11-12 v1
摘要
硅为量子计算的硬件实现提供了极具吸引力的材料平台。本研究发展了一种微观随机模拟方法，以建模硅金属-氧化物-半导体(MOS)量子门中随机界面电荷陷阱的效应。统计结果表明，利用同位素纯化硅中的快速双量子比特门，对于最先进的 MOS 界面质量，双量子比特硅基量子门的保真度以 75% 的概率大于 98%。通过使用复合门脉冲，保真度可进一步提升至以 75% 概率大于 99.5%。然而，量子门器件间的差异主要源于每器件中陷阱的少量数目。结果凸显了考虑随机电荷陷阱所致变异性的重要性，以及提升硅基量子计算保真度的潜力。
引用
@article{arxiv.2011.05486,
title = {Variability and Fidelity Limits of Silicon Quantum Gates Due to Random Interface Charge Traps},
author = {Tong Wu and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.05486},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 5 figures. IEEE Electron Device Letters (2020)