分子导体的电压-电流特性：两种与三端子比较
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v3
摘要
本文探讨了在标准三端子 MOSFET 配置中使用“刚性分子”（即在外部场中不变形的分子）作为导电通道时，其性能相对于标准硅 MOSFET 是否存在优势。通过求解耦合的量子输运与泊松方程的自洽解表明，即使对于极小的通道长度（约 1 纳米），“良好调节”的分子 FET 仍需与“良好调节”的常规 MOSFET 相同的电荷控制 considerations。换言之，我们证明，正如在常规 MOSFET 中一样，栅极氧化物厚度必须远小于通道长度（分子长度）才能实现有效的栅控。此外，我们指出，刚性分子若使用金属型源漏接触，其亚阈值斜率在温度无关时远大于 60 mV/decade，因为金属诱导的能隙态会阻止其迅速关闭。然而，通过使用半导体型接触可克服这一缺点，由于其能带受限的特性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206328,
title = {Current-voltage Characteristics of Molecular Conductors: Two versus Three Terminal},
author = {Prashant Damle and Titash Rakshit and Magnus Paulsson and Supriyo Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206328},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures. Major changes in text. One new result added (Fig 8). Accepted for publication in IEEE Trans. on Nanotechnology