基于 Gram-Schmidt 方法的无结双栅 MOSFET 阈值电压快速估计的代数方法
分布式、并行与集群计算
2019-05-17 v1 应用物理
摘要
漏致势垒降低（DIBL）效应是 MOSFET 家族中不期望出现的短沟道效应之一，它导致晶体管的阈值电压随漏极电压升高而降低。该效应使得电路设计者无法将 VT 视为常数，因此有必要将 VT 计算为漏极电压的函数。因此，在集成电路设计中考虑 DIBL 效应会给系统带来巨大的计算负担，尤其是在需要仿真大量晶体管时，会减慢电路级仿真器的仿真过程。为此，本文提出一种使用 Gram-Schmidt 正交化方法的多输入单输出（MISO）非线性自回归（N-AR）模型，该模型以高精度和显著加速的计算过程计算出新一代 MOSFET（即无结双栅 MOSFET（JL-DG-MOSFETs））的阈值电压。结果表明，所提出的数值方法平均比最先进的解析模型快 313 倍。所提模型与解析模型之间计算的归一化均方误差百分比平均仅为 0.435%，表明该方法可作为快速且准确的候选方案来替代解析建模。
引用
@article{arxiv.1905.06802,
title = {An Algebraic Approach to Fast Estimation of the Threshold Voltage of Junctionless Double Gate MOSFETs Using the Gram Schmidt Method},
author = {Mohsen Annabestani and Mahshid Nasserian and Fatemeh Hasanzadeh and Mohammad Taherzadeh-Sani and Alireza Hassanzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.06802},
year = {2019}
}