高频 InN 隧道晶体管的设计与分析
材料科学
2014-01-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文报道了一种基于 InN 的 n 型隧道场效应晶体管的设计与分析。隧道电流是根据量子力学隧道效应和半经典载流子输运的基本原理进行评估的。我们研究了该器件的射频性能。2 mS/um 的高跨导和约 460 GHz 的电流增益截止频率使得该器件适用于太赫兹应用。在相对较高的漏极偏压下，观察到栅漏电容显著降低。为此，我们首次对高掺杂 InN 结中的雪崩击穿现象进行了定量分析，并将其与 Si 和 InAs 进行了比较。
引用
@article{arxiv.1401.0024,
title = {Design and Analysis of High Frequency InN Tunnel Transistors},
author = {Krishnendu Ghosh and Uttam Singisetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.0024},
year = {2014}
}