长通道纳米束薄膜晶体管的电流-电压特性：自下而上的视角
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
通过将经典线性响应 percolation 粘接理论推广到非线性范数，我们发现 Nanobundle 薄膜晶体管 (NB-TFT) 的漏电流在相当普遍的条件下由一个普适缩放公式描述：ID = A/LS g(LS/LC, rho_S * LS * LS) f(VG, VD)，其中 A 为技术特定常数，g 为几何因素(如棒长 LS、通道长 LC 和棒密度 rho_S)的函数，f 为漏电压 VD 和栅压 VG 的函数。这种缩放公式意味着测量单个 NB-TFT 的完整 I-V 特性就足以预测具有任意几何参数和偏置条件的其他晶体管的性能特性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603033,
title = {Current-Voltage Characteristics of Long-Channel Nanobundle Thin-Film Transistors: A Bottom-up Perspective},
author = {N. V. Pimparkar and S. Kumar and J. Y. Murthy and M. A. Alam},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603033},
year = {2009}
}