用于模拟电路仿真的纳米尺度应变硅/硅锗MOSFET解析漏极电流模型
介观与纳米尺度物理
2010-08-19 v1
摘要
对于纳米级CMOS应用，应变硅器件因其实现更高性能的潜力以及与常规硅工艺的兼容性而受到广泛关注。本文开发了一种适用于模拟电路仿真的纳米级体应变硅/硅锗(Si/SiGe)MOSFET输出电流特性(I-V)解析模型。我们证明了即使在短沟道器件中，由于速度过冲效应，应变也能显著增强电流。使用我们的解析模型获得的结果的准确性通过二维器件仿真得到了验证。
引用
@article{arxiv.1008.3018,
title = {Analytical Drain Current Model of Nanoscale Strained-Si/SiGe MOSFETs for Analog Circuit Simulation},
author = {Vivek Venkataraman and Susheel Nawal and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3018},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala/