用于大电流与高压工作的 SiC 功率 MOSFET 紧凑模型
系统与控制
2021-05-03 v1 系统与控制
摘要
本工作提出了一种基于物理的 SiC 功率 MOSFET 紧凑模型，可准确描述高达大电压和大电流下的 I-V 特性。给出了考虑 SiC 功率 MOSFET 不同物理机制的基于电荷的公式。这些公式考虑了 SiC MOSFET 特有的大 SiC/SiO2 界面陷阱密度及其与温度的依赖关系。研究发现，在同时工作于高电流和高电压区域时，界面电荷密度的建模对于描述 SiC 功率 MOSFET 的静电特性是必要的。所提出的紧凑模型精确拟合了从漏极电压 = 5mV 到 800 V、电流范围从几 mA 到 30 A 的完整 IV 平面上提取的 160 毫欧、1200V SiC 功率 MOSFET 的测量数据。
引用
@article{arxiv.2104.14733,
title = {A Compact Model for SiC Power MOSFETs for Large Current and High Voltage Operation},
author = {Cristino Salcines and Sourabh Khandelwal and Ingmar Kallfass},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.14733},
year = {2021}
}