用于4K直流操作的0.35微米SOI CMOS技术节点的紧凑建模
材料科学
2010-01-20 v1
摘要
本文介绍了在4K温度下工作的0.35微米SOI技术节点中MOSFET的紧凑建模。使用Verilog-A语言修改BSIM模型的器件方程，以更准确地再现测量的直流行为，这是标准BSIM模型集无法实现的。Verilog-A方法还允许将非线性长度、宽度和偏置效应嵌入到BSIM计算曲线中，其效果超出了使用不同BSIM参数集所能达到的范围。非线性依赖关系对于捕捉4K行为特有的效应（例如电流扭结）是必要的。该紧凑模型很好地再现了4K直流行为，并且在电路和系统仿真过程中，当仿真器遇到不同长度和宽度的SOI MOSFET时，该模型能够无缝演化。因此，将各种长度/宽度和偏置相关效应整合到一个Verilog-A/BSIM4库中，为该技术节点的所有器件集生成了一个统一的模型。
引用
@article{arxiv.1001.3353,
title = {Compact Modeling of 0.35 micron SOI CMOS Technology Node for 4 K DC Operation using Verilog-A},
author = {A. Akturk and K. Eng and J. Hamlet and S. Potbhare and E. Longoria and R. Young and M. Peckerar and T. Gurrieri and M. S. Carroll and N. Goldsman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.3353},
year = {2010}
}