基于BSIM-IMG的22 nm FDSOI MOSFET深低温建模
介观与纳米尺度物理
2025-12-01 v1
摘要
本文提出一种基于BSIM-IMG紧凑模型的建模方法，以捕捉22 nm FDSOI技术中MOSFET器件在深低温下的行为。该建模流程基于DC测量提取静态参数，包括可变性和射频测量提取动态参数。引入了对迁移率方程的修改，以实现对间子散射效应的建模。提取的模型用于实现22 nm FDSOI技术中数十纳米级数字-模拟转换器（DAC）的深低温仿真，结果与测量结果高度吻合。
关键词
引用
@article{arxiv.2511.22297,
title = {Deep-Cryogenic Modeling of 22-nm FDSOI MOSFETs based on BSIM-IMG},
author = {Debargha Dutta and Kerim Ture and Fabio Olivieri and Alberto Gomez-Saiz and Grayson M. Noah},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.22297},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 10 figures