面向单晶体量子处理器的 22nm FDSOI CMOS 低温紧凑型 mm 波宽频 SPST 开关
量子物理
2024-06-19 v1
摘要
本文报告了在低温下对 22nm FDSOI CMOS 技术制造的紧凑型 mm 波宽频单极单抛 (SPST) 开关的实验表征。该开关由两个具有特殊工艺选项的 n-MOSFET 组成，以降低基板串扰效应，以及第三个 n-MOSFET 用于提高隔离性能。与以往的宽带 mm 波开关不同，本开关无需任何大型被动元件，从而实现了极致紧凑的设计、低损耗和高隔离性能。在 2 K 的低温测量中，显示出插入损耗低于 2.3 dB、隔离性能优于 25.3 dB、以及返波损耗优于 -11.5 dB，覆盖整个频率范围从 DC 到 70 GHz。
关键词
引用
@article{arxiv.2406.12105,
title = {Cryogenic Compact mm-Wave Broadband SPST Switch in 22nm FDSOI CMOS for Monolithic Quantum Processors},
author = {T. D. Nhut and S. Bonen and G. Cooke and T. Jager and M. Spasaro and D. Sufra and S. P. Voinigescu and D. Zito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.12105},
year = {2024}
}
备注
The final version of this draft has been appearing in the Proceedings of IMS 2022 available on IEEE Xplore Digital Library (10.1109/IMS37962.2022.9865577)