基于 BSIM 与 EKV 模型的 MOSFET 器件低温建模
应用物理
2021-04-20 v1
摘要
扭结效应是反型型体硅 MOSFET 器件低温模型的一大障碍。本快报使用两种方法修正扭结效应：改进进化策略（MES）与双模型建模（BSIM3v3 与 EKV2.6）。两种方法均基于扭结效应原理。第一种方法考虑碰撞电离与衬底电流诱导体效应（SCBE），另一种考虑冻结衬底电势的变化。通过应用上述两种方法，可修正扭结以改善仿真数据与测量数据间的一致性，并获得更精确的模型参数。这两种方法可用于后续的低温器件建模与电路设计工作。
引用
@article{arxiv.2104.08467,
title = {Cryogenic Modeling of MOSFET Device Based on BSIM and EKV Models},
author = {Tengteng Lu and Yuanke Zhang and Yujing Zhang and Jun Xu and Guoping Guo and Chao Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.08467},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 4 figures