石墨烯场效应晶体管静态漏极电流的可缩放紧凑模型
应用物理
2024-01-29 v1
摘要
本文的主要目标是首次提出一个基于物理的、连续且对称的紧凑模型，该模型能够准确捕捉由几何缩放效应引起的石墨烯晶体管(GFET)技术的IV实验依赖性。这种可缩放模型是大规模GFET应用蓬勃发展的不可或缺的要素，正如已在成熟的工业CMOS技术中所证明的那样。深入研究了物理模型参数对沟道尺寸的依赖性，并推导了半经验表达式，这些表达式精确表征了工业GFET技术以及研究实验室开发的其他技术中的此类行为。本工作旨在建立首个可集成到电路仿真工具中的工业标准GFET紧凑模型，从而有助于将GFET技术从研究层面推进到大规模工业生产。
引用
@article{arxiv.2401.14674,
title = {A Scalable Compact Model for the Static Drain Current of Graphene FETs},
author = {Nikolaos Mavredakis and Anibal Pacheco-Sanchez and Oihana Txoperena and Elias Torres and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.14674},
year = {2024}
}