包含两种饱和模式描述的双栅石墨烯场效应晶体管物理基础紧凑建模
介观与纳米尺度物理
2012-02-03 v2
摘要
基于扩散 - 漂移近似，提出了一种适用于大面积双栅石墨烯场效应晶体管的解析紧凑模型版本。作为该模型的一部分，描述了双栅结构的静电特性，并提出了一种统一的唯象方法来模拟两种漏极电流饱和模式。
引用
@article{arxiv.1110.6319,
title = {Physics-Based Compact Modeling of Double-Gate Graphene Field-Effect Transistor Operation Including Description of Two Saturation Modes},
author = {Gennady I. Zebrev and Alexander A. Tselykovskiy and Valentin O. Turin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.6319},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures, a report to MIEL 2012