石墨烯场效应晶体管的半解析量子模型
介观与纳米尺度物理
2014-09-24 v1
摘要
我们开发了一种弹道极限下单层石墨烯场效应晶体管的半解析模型。考虑了两种类型的器件：在第一种器件中，源区和漏区通过与肖特基接触的电荷转移进行掺杂；而在第二种器件中，源区和漏区通过背栅进行静电掺杂。该模型捕捉到了影响两种器件运行的两个重要效应：(i) 源区和漏区中有限的态密度，这限制了可用于输运的态数量，并可能导致负输出微分电阻效应；(ii) 跨越源 - 沟道和漏 - 沟道界面势垒的量子隧穿。通过与自洽非平衡格林函数求解器进行比较，我们表明我们的模型在准饱和区域以及负微分电阻区域均能为两种类型的器件提供非常准确的结果。
引用
@article{arxiv.1409.6436,
title = {Semianalytical quantum model for graphene field-effect transistors},
author = {Claudio Pugnaghi and Roberto Grassi and Antonio Gnudi and Valerio Di Lecce and Elena Gnani and Susanna Reggiani and Giorgio Baccarani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.6436},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 14 figures