基于弱非局域近似的石墨烯双层场效应晶体管解析器件模型
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们为具有背栅和顶栅的石墨烯双层场效应晶体管(GBL-FET)建立了一个解析器件模型。该模型基于电子输运的玻尔兹曼方程以及GBL-FET沟道中电势的弱非局域近似下的泊松方程。我们解析地求得了GBL-FET沟道中的电势分布。在最关键的极限情况下，GBL-FET的源漏电流及其跨导可用几何参数和施加电压的解析公式表示。这些公式明确考虑了短沟道效应和漏致势垒降低效应。推导了表征这些效应强度的参数。结果表明，GBL-FET的跨导作为顶栅电压摆幅的函数呈现出明显的极大值。短沟道效应与电子碰撞的相互作用导致跨导对顶栅长度呈非单调依赖关系。
引用
@article{arxiv.1008.4648,
title = {Analytical device model for graphene bilayer field-effect transistors using weak nonlocality approximation},
author = {V. Ryzhii and M. Ryzhii and A. Satou and T. Otsuji and V. Mitin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4648},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 7 figures