将弹道式石墨烯 FET 集总元件模型扩展至扩散型器件
介观与纳米尺度物理
2012-07-19 v1
摘要
本文提出了一种改进的石墨烯场效应器件集总元件模型。该模型基于通常仅适用于弹道式石墨烯纳米晶体管的“势垒顶部”(Top-of-the-barrier) 方法。我们引入了适当的修正以扩展模型的有效性，使其能够准确描述弹道式和扩散式石墨烯器件。将该模型与文献中已有的数据进行了对比。结果表明，对于纳米尺寸和大面积石墨烯基沟道两种情况，均获得了良好的一致性。在这两种情况下，均实现了对漏极电流和跨导的准确预测。
引用
@article{arxiv.1207.4443,
title = {Extending ballistic graphene FET lumped element models to diffusive devices},
author = {Giancarlo Vincenzi and G. Deligeorgis and Fabio Coccetti and M. Dragoman and Luca Pierantoni and Davide Mencarelli and R. Plana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.4443},
year = {2012}
}