hBN封装石墨烯电子器件中的原位应变调控
介观与纳米尺度物理
2019-06-24 v1
摘要
利用一种简易装置弯曲柔性衬底，我们展示了石墨烯电子器件确定性的、可复现的原位应变调控。该方法的核心在于对石墨烯进行完整的hBN封装，从而在输运实验中保持原始石墨烯的优异品质。此外，在衬底上的方案使人能够利用各种可能样品几何结构中的应变效应，同时保证在形变过程中栅电容的变化可忽略不计。我们使用拉曼光谱对两种不同几何结构器件中的应变大小进行空间成像，并展示了构建应变梯度的可能性，这对于利用赝磁场调控谷自由度具有重要意义。通过比较悬浮器件与在衬底器件的输运特性，我们证明这一新方法不存在悬浮器件中所遇到的模糊性。
引用
@article{arxiv.1904.06737,
title = {In-situ strain tuning in hBN-encapsulated graphene electronic devices},
author = {Lujun Wang and Simon Zihlmann and Andreas Baumgartner and Jan Overbeck and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Péter Makk and Christian Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.06737},
year = {2019}
}