具有高跨导和近乎理想亚阈值斜率的黑磷 p-MOSFET
介观与纳米尺度物理
2014-10-01 v1
摘要
我们报道了黑磷 p-MOSFET 的创纪录性能。该器件具有局部图案化的背栅和 20 nm 厚的 HfO2 栅介质。有效栅长 Leff = 1.0 um 的器件在漏源偏置电压 Vds = -3 V 时，显示出 101 uS/um 的本征跨导 gm。温度依赖性分析还表明，亚阈值斜率 SS 近乎理想，在室温且 Vds = -0.1 V 时，其最小值为 SS = 66 mV/decade。此外，具有 7 nm HfO2 介质且 Leff = 0.3 um 的器件在 Vds = -1.5 V 时，gm 高达 204 uS/um。
引用
@article{arxiv.1409.8395,
title = {Black Phosphorus p-MOSFETs with High Transconductance and Nearly Ideal Subthreshold Slope},
author = {Nazila Haratipour and Matthew C. Robbins and Steven J. Koester},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.8395},
year = {2014}
}