具有创纪录 n 沟道跨导的双极性黑磷 MOSFET
介观与纳米尺度物理
2015-12-01 v2
摘要
本文报道了具有创纪录 n 沟道非本征跨导的双极性黑磷 MOSFET。该器件由与局部背栅电极对准的多层黑磷组成，并采用 10 nm 厚的 HfO2 栅极电介质。在钝化前，栅极长度为 0.3 um 的器件表现为 p-MOSFET，在 VDS = -2 V 下其峰值非本征跨导 gm 为 282 uS/um。钝化后，相同的器件表现出双极性行为，作为 n-MOSFET 测试时，在 VDS = +2 V 下峰值 gm = 66 uS/um，且同一晶圆上的类似器件 gm 高达 80 uS/um。这些结果向实现高性能黑磷互补逻辑电路迈出了重要一步。
引用
@article{arxiv.1508.05512,
title = {Ambipolar Black Phosphorus MOSFETs with Record n-Channel Transconductance},
author = {Nazila Haratipour and Steven J. Koester},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.05512},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, 1 table