磷烯场效应晶体管：基于少数层磷原子的前景广阔的晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-01-11 v1
摘要
本文综述了磷烯场效应晶体管在大约一年内的出现与进展。在如此短的时间内，背栅场效应晶体管演变为顶栅场效应晶体管，栅长缩减至亚微米范围，通过高k介电质或六方氮化硼的钝化展示了时间、热和机械稳定性，欧姆接触实现至低温，截止频率被推高至 10 GHz 以上。磷烯的这些及其他吸引人的特性使得磷烯场效应晶体管成为当代柔性电子以及未来超薄体、低功耗、高速和高频晶体管的可行候选者。
引用
@article{arxiv.1505.00381,
title = {Phosphorene FETs: Promising transistors based on a few layers of phosphorus atoms},
author = {Kuanchen Xiong and Xi Luo and James C. M. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.00381},
year = {2016}
}
备注
3 pages, 2 gigures, 3 tables, in Dig. IEEE Microwave Theory and Techniques Society: International Microwave Workshop Series on Advanced Materials and Processes for RF and THz Applications, Suzhou, China, Jul., 2015, accepted for publication