截止频率为50 GHz的双栅石墨烯场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-12-21 v1
摘要
本文介绍了一种双栅石墨烯场效应晶体管，通过静电掺杂降低接入电阻，从而提升了射频性能。在载流子迁移率为2700 cm²/Vs的条件下，一个350纳米栅长的器件实现了50 GHz的截止频率。该fT值是迄今为止报道的石墨烯晶体管的最高频率，同时也超过了相同栅长下硅MOSFET的频率，展示了石墨烯在射频应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.0912.3549,
title = {Dual Gate Graphene FETs with fT of 50 GHz},
author = {Yu-Ming Lin and Hsin-Ying Chiu and Keith A. Jenkins and Damon B. Farmer and Phaedon Avouris and Alberto Valdes-Garcia},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.3549},
year = {2009}
}