MoS2 中的磁输运：相位相干、自旋轨道散射与霍尔因子

我们通过弱局域化测量和霍尔效应测量，表征了 n 型 MoS2 二维晶体中的相位相干长度、自旋轨道散射长度和霍尔因子。弱局域化测量显示，对于几层厚的 MoS2 薄膜，在 T = 400 mK 时相位相干长度约为 50 nm，并随温度升高按 T^-1/2 减小。弱局域化测量还使我们能够首次在不使用光学技术的情况下估算出自旋轨道散射长度为 430 nm，指出了 MoS2 在自旋电子学应用中的潜力。通过霍尔效应测量，我们观察到在 T = 1 K 时低温霍尔迁移率为 311 cm2/Vs，该值在 10 K 至 60 K 范围内随幂律减小，特征指数 {\gamma}=1.5。在室温下，我们观察到的霍尔迁移率为 24 cm2/Vs。通过确定 MoS2 在 T = 1 K 时的霍尔因子为 1.35，在室温下为 2.4，我们分别观察到在 T = 1 K 和室温下的漂移迁移率为 420 cm2/Vs 和 56 cm2/Vs。