二维 TaSe2 金属晶体：自旋 - 轨道散射长度与击穿电流密度

通过对这种强自旋 - 轨道相互作用材料中弱反局域化现象的详细表征，我们确定了二维层状 2H-TaSe2 金属晶体的自旋 - 轨道散射长度。通过拟合观测到的磁电导率，确定少层薄膜中 2H-TaSe2 的自旋 - 轨道散射长度为 17 nm。这一较小的自旋 - 轨道散射长度与广泛用于研究自旋霍尔效应的 Pt 相当，表明 TaSe2 在自旋霍尔效应器件中的应用潜力。除了强自旋 - 轨道耦合外，材料还必须能够支持大电荷电流才能通过自旋霍尔效应实现自旋转移力矩。因此，我们表征了 TaSe2 在空气中的室温击穿电流密度，其最佳击穿电流密度达到 3.7$\times$10$^7$ A/cm$^2$。这一大的击穿电流进一步表明 TaSe2 在自旋力矩器件和二维器件互连应用中的潜力。