p型ZnO中的空穴输运
材料科学
2009-11-11 v1 其他凝聚态物理
摘要
采用涉及A价带和B价带的双带模型，分析了在N掺杂的\textit{p}型ZnO上测量的与温度相关的霍尔效应。使用“弛豫时间近似”计算了空穴输运特性（迁移率和有效霍尔因子）随温度的变化。结果表明，声学形变势的晶格散射是主要的。在电离杂质机制的散射率计算中，在施主和受主浓度之间的不同补偿比下，使用了100或170 meV的激活能。在受主浓度为 cm、激活能为100 meV、补偿比为0.8、温度为300 K时，理论霍尔迁移率约为70 cmVs。我们还发现补偿比显著影响霍尔迁移率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605287,
title = {Hole Transport in p-Type ZnO},
author = {Takayuki Makino and Akira Ohtomo and A. Tsukazaki and M. Kawasaki and H. Koinuma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605287},
year = {2009}
}
备注
5page, 5 figures, accepted for publication in Jpn. J. Appl. Phys