调控InP纳米线中的空穴迁移率
材料科学
2013-06-24 v1
摘要
通过考虑形变势的电子-声子相互作用、温度和应变场的影响，计算了InP纳米线中空穴的输运性质。利用分子动力学，我们模拟了纳米线结构、LO声子能量重整化和寿命。价带基态在轻空穴和重空穴特征之间变化，随着应变场和纳米线尺寸的改变。当LO声子与价带子带间间距发生共振时，迁移率发生剧烈变化。
引用
@article{arxiv.1206.1283,
title = {Tuning hole mobility in InP nanowires},
author = {M. Rebello Sousa Dias and A. Picinin and V. Lopez-Richard and S. E. Ulloa and L. K. Castelano and J. P. Rino and G. E. Marques},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1283},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures