硅纳米线中的电子迁移率
材料科学
2016-11-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用自洽 Poisson-Schr"{o}dinger-Monte Carlo 求解器计算了矩形硅纳米线 (SiNW) 晶体管中的低场电子迁移率。通过将线宽从 30 nm 减小到 8 nm，研究了声子限制和表面粗糙度限制的迁移率分量的行为，该宽度范围涵盖了二维 (2D) 到一维 (1D) 电子输运的交叉区域。研究发现，表征低中和中等横向场下输运特性的声子限制迁移率，由于电子 - 声子波函数重叠的增加而随线宽减小而降低。相比之下，在极高横向场下受表面粗糙度散射限制的迁移率，由于体积反演效应而随线宽减小而增加。文中还简要讨论了声学声子受限的重要性。
引用
@article{arxiv.0806.4347,
title = {Electron mobility in silicon nanowires},
author = {E. B. Ramayya and D. Vasileska and S. M. Goodnick and I. Knezevic},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.4347},
year = {2016}
}