基于经典分子动力学模拟的非晶氮化硅原子结构
无序系统与神经网络
2015-05-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过基于Billeter等人[S. R. Billeter, A. Curioni, D. Fischer, and W. Andreoni, Phys. Rev. B \bf{73}, 155329]环境依赖经典力场的分子动力学模拟，我们研究了不同化学计量比下SiN样品的结构特征。我们的结果与实验数据吻合良好，并且能够重现一些迄今为止模拟未能重现的特征。特别是，我们识别出了含有N-N键的单元，这些单元被认为负责中子衍射数据径向分布函数中一个未分配的峰，以及电子自旋共振、X射线光电子能谱、电子能量损失谱和光学吸收实验中观察到的信号。我们识别出了缺陷，这些缺陷被认为是导致高浓度电荷陷阱的原因，而正是这种高浓度电荷陷阱使得该材料适用于构建非易失性存储器件。我们分析了这些缺陷浓度随样品化学计量比的变化关系。
引用
@article{arxiv.1102.0145,
title = {Atomistic structure of amorphous silicon nitride from classical molecular dynamics simulations},
author = {Mariella Ippolito and Simone Meloni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0145},
year = {2015}
}