氮化硅微环中基于克尔双稳态存储器的添 - 减系统
光学
2013-08-29 v1
摘要
我们数值研究了在存在热光效应的情况下，在氮化硅微环腔系统中实现基于克尔双稳性的存储器操作所需的条件。通过比较侧耦合系统和添 - 减（add-drop）系统，我们发现后者是实现克尔双稳操作所必需的。此外，我们展示了存储器操作不受热光效应影响的耦合系数范围。
引用
@article{arxiv.1308.6042,
title = {Add-drop system for Kerr bistable memory in silicon nitride microrings},
author = {Wataru Yoshiki and Takasumi Tanabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6042},
year = {2013}
}
备注
4 pages,4 figures