有机存储器件潜在机制建模：隧穿、电子发射与氧吸附
介观与纳米尺度物理
2015-01-22 v1 材料科学
摘要
我们提出了一项结合实验与理论的研究，以深入理解有机存储器件中的存储效应和负微分电阻 (NDR) 效应。我们提出的理论模型 simply 是一个嵌入在两个电极之间的一维金属岛阵列。我们使用散射算符方法评估电极与岛之间的隧穿电流，从而为几种器件建立基本的双稳态 I-V 曲线。理论结果与实验吻合非常好，存储效应和 NDR 效应均能得到全面理解。此外，还讨论了实验对应关系，即改变氧气压力的实验。
引用
@article{arxiv.1204.2022,
title = {Modeling the underlying mechanisms for organic memory devices: Tunneling, electron emission and oxygen adsorbing},
author = {Yao Yao and Yintao You and Wei Si and Chang-Qin Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2022},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures