溶胶-凝胶法制备VO2薄膜的金属/氧化钒/硅结构中的记忆电开关效应
应用物理
2020-01-10 v1 材料科学
摘要
研究了采用乙酰丙酮酸盐溶胶-凝胶法在p型与n型硅上制备的含二氧化钒薄膜的金属-VO2-Si结构的电开关与整流特性。结果表明，该开关效应源于二氧化钒中的半导体-金属相变（SMPT）。在p-Si-VO2反型异质结的正向偏置下，观察到伴随记忆效应的开关阈值电压偏移。为解释该效应，提出了一个模型，其假定存在与VO2/Si界面处通道相关的附加串联电阻，该SiOx层在VO2沉积过程中形成。该电阻决定了阈值开关特性与记忆效应，且表明氧离子电迁移过程是该效应的基础。讨论了所观测现象在氧化物电子学中结合ReRAM与SMPT效应的潜在应用。
引用
@article{arxiv.2001.03055,
title = {Effect of memory electrical switching in metal/vanadium oxide/silicon structures with VO2 films obtained by the sol-gel method},
author = {Andrei Velichko and Alexander Pergament and Vadim Putrolaynen and Olga Berezina and Genrih Stefanovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03055},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 5 figures