V2O5纳米结构半导体到金属相变中本征缺陷的光谱研究
材料科学
2018-01-03 v1
摘要
钒是一种具有多种氧化态的过渡金属，其中V2O5是最稳定的形式。除催化、化学传感和光致变色应用外，据报道V2O5在530–560 K温度范围内还表现出半导体到金属转变（SMT）。尽管对于V2O5使用“SMT”一词存在争议，但转变温度以上的金属性行为及其起源在科学界备受关注。本研究采用蒸气传输法以Au为催化剂在SiO2/Si衬底上沉积V2O5纳米结构。温度依赖的电学测量证实了V2O5在无任何结构变化情况下的SMT。温度依赖的光致发光分析证明了由于转变温度以上V2O5的还原而出现氧空位相关峰，温度依赖的拉曼光谱研究也推断出这一点。随着温度升高，V2O5电子结构中新演生的缺陷能级也可由最底部劈裂导带因pdπ键断裂而下移来理解，这导致V2O5在转变温度以上呈现金属性行为。
引用
@article{arxiv.1801.00546,
title = {Spectroscopic study of native defects in the semiconductor to metal phase transition in V2O5 nanostructure},
author = {Raktima Basu and Sandip Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.00546},
year = {2018}
}