过渡金属氧化物中的斜坡反转记忆与相界疤痕
材料科学
2017-07-04 v1
摘要
过渡金属氧化物（TMOs）是呈现多种集体现象的复杂电子系统。两个典型例子是VO2和NdNiO3，它们经历金属-绝缘体相变（MIT），其起源仍在争论中。本文报道了在这两个系统中发现一种记忆效应，表现为在特定温度处电阻增加，该温度由MIT期间将温度斜坡从加热反转为冷却所设定。这种斜坡反转记忆效应的特征与先前在锰氧化物、电子玻璃或磁性系统中报道的任何历史或记忆效应都不吻合。从广泛的实验特征并结合理论建模，我们发现该效应产生的主要要素是MIT过程中金属与绝缘区域的空间相分离，以及晶格应变与相变局域临界温度的耦合。我们得出结论：这种涌现的记忆效应源于反转温度处的相界在底层晶格结构中留下“疤痕”，导致转变温度局域升高。该效应的普适性与鲁棒性为复杂氧化物中的MIT提供了新见解。
引用
@article{arxiv.1707.00303,
title = {Ramp Reversal Memory and Phase-Boundary Scarring in Transition Metal Oxides},
author = {Naor Vardi and Elihu Anouchi and Tony Yamin and Srimanta Middey and Michael Kareev and Jak Chakhalian and Yonatan Dubi and Amos Sharoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.00303},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 4 figures, supporting information in publisher web-site